变可变电阻的阻值可改动电容的冲放电时间，然后改动可控硅的导通时间，来改动负 载上的的输出电压。

  图中TVP抗干扰一般电源电路。选用双向TVP管子。它关于电网的尖脉冲电压

  整流电路选用桥式整流，由4只二极管组成，D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组 成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏沟通电通

  (2)晶闸管选用正向与反向电压大于300伏，额外均匀电流大于1安的可控硅 整流器材。类型 国产3CT。

  (3)调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的组成炭膜电位器。

  过负载电阻Rc二极管D1到D4整流，在可控硅SCH的A ,K南北极构成一个脉动的直流 电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在沟通的正半周时，整流

  电路经过电阻R1可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时，管 子由截止变为导通。所以电容C经过T1管的e1,b1结和R2敏捷的放电，结果在R2上取得一个尖脉冲。这个脉冲作为操控信号送到可控硅SCR的操控极，使可控硅导