现在沟通调压多选用双向可控硅，它具有体积小、重量轻、效 率高和运用起来更快捷等长处，对进步出产功率和削减相关本钱等都有明显效 果，但它也具有过载和抗搅扰能力差，且在操控大电感负载时会搅扰 电网和自搅扰等缺陷，下面咱们来谈谈可控硅在其运用中怎么防止上 述问题。

  为防止或减小噪声，关于移相操控式沟通调压一般的处理办法 有电感电容滤波电路，阻容阻尼电路和双向二极管阻尼电路及其它电

  电感电容滤波电路，如图 2(a)所示，由电感电容构成谐振回路， 其低通截止频率为 f=1/2πIc，一般取数十千赫低频率。

  双向二极管阻尼电路，如图 2(b)所示。因为二极管是反向串联 的，所示它对输入信号极性不灵敏。当负载被电源鼓励时，按捺电路 对负载无影响。当电感负载线圈中电流被堵截时，则在按捺电路中有 瞬态电流流过，因此就防止了感应电压经过开关接点放电，也就减小 了噪声，可是要求二极管的反向电压应比或许呈现的任何瞬态电压 高。另一个是额定电流值要契合电路要求。

  1 灵敏度 双向可控硅是一个三端元件，但咱们不再称其两 极为阴阳极，而是称作 T1 和 T2 极，G 为操控极，其操控极上所加 电压不管为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使操控极导通，在图 1 所示的四种条件下双向可控硅均可被触发导通，可是触发灵敏度互不 相同，即弯曲双向可控硅能进入导通状况的最小门极电流 IGT 是有 差异的，其间(a)触发灵敏度最高，(b)触发灵敏度最低，为了可以更好的弯曲触 发一起又要尽量约束门极电流，应挑选(c)或(d)的触发办法。

  电阻电容阻尼电路，如图 2(C)所示，使用电容电压不能骤变的 特性吸收可控硅换向时发生的尖峰状过电压，把它约束在答应规模 内。串接电阻是在可控硅阻断时防止电容和电感振动，起阻尼效果， 阻容电路还具有加快可控硅导通的效果。

  别的一种防止或减小噪声的办法是使用通断比操控沟通调压 办法，其原理是选用过零触发电路，在电源电压过零时就操控双向可 控硅导通和截止，即操控角为零，这样在负载上得到一个完好的正弦

  2 可控硅过载的维护 可控硅元件长处许多，可是它过载能 力差，短时间的过流，过压都会形成元件损坏，因此为弯曲元件正常 作业，需有条件(1)外加电压下答应超越正向转机电压，不然操控极

  将不起效果；(2)可控硅的通态均匀电流从安全视点考虑一般按最大 电流的～2 倍来取；(3)为弯曲操控极牢靠触发，加到操控极的触发电 流一般取大于其额值，除此以外，还一定要采纳维护的办法，一般对过流 的维护的办法是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平 均值的倍左右，其接入的方位可在沟通侧或直流侧，当在沟通侧时额 定电流取大些，一般多选用前者，过电压维护常发生在存在电感的电 路上，或沟通侧呈现搅扰的浪涌电压或沟通侧的暂态过程发生的过 压。因为，过电压的尖峰高，效果时间短，常选用电阻和电容吸收电 路加以按捺。

  3 操控大电感负载时的搅扰电网和自搅扰的防止 可控硅元 件操控大电感负载时会有搅扰电网和自搅扰的现象，其原因是当可控 硅元件操控一个衔接电理性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电 流通路被堵截，其改变率极大，因此在电感上发生一个高电压，这个 电压经过电源的内阻加在开关触点的两头，感应电压一次次放电直到 感应电压低于放电所有必要电压停止，在这一过程中将发生极大的脉冲 束。这些脉冲束叠加在供电电压上，而且把搅扰传给供电线或以辐射 方式传向周围空间，这种脉冲具有极高的起伏，很宽的频率，因此具 有理性负载的开关点是一个很强的噪声源。