可控硅元件长处许多，可是它过载力量差，短时间的过流，过压都会形成元件损坏，因此为确保元件正常作业，需有条件：

  （2）可控硅的通态均匀电流从安全视点考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取；

  （3）为确保掌握极可靠触发，加到掌握极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必需实施保护办法，一般对过流的保护办法是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流均匀值的1.5倍左右，其接入的方位可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多承受前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧消除搅扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程发生的过压。因为，过电压的尖峰高，作用时间短，常承受电阻和电容汲取电路加以按捺。

  现在交流调压多承受双向可控硅，它具有体积小、重量轻、功率高和运用便当等长处，对进步出产功率和削减相关本钱等都有明显作用，但它也具有过载和抗搅扰力量差，且在掌握大电感负载时会搅扰电网和自搅扰等缺陷，下面咱们来谈谈可控硅在其运用中怎么避开上述问题。

  双向可控硅是一个三端元件，Fra Baidu bibliotek咱们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为掌握极，其掌握极上所加电压不管为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使掌握极导通，可是触发灵敏度互不相同，即确保双向可控硅能进入导通状况的最小门极电流IGT是有区别的。

  可控硅元件掌握大电感负载时会有搅扰电网和自搅扰的现象，其缘由是当可控硅元件掌握一个衔接电理性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被堵截，其改变率极大，因此在电感上发生一个高电压，这个电压经过电源的内阻加在开关触点的两头，然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必需的电压停止，在这一过程中将发生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，而且把搅扰传给供电线或以辐射方式传向四周空间，这种脉冲具有极高的起伏，很宽的频率，因此具有理性负载的开关点是一个很强的噪声源。